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STD6N52K3

STD6N52K3

Nur als Referenz

Teilenummer STD6N52K3
PNEDA Teilenummer STD6N52K3
Beschreibung MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STD6N52K3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD6N52K3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD6N52K3, STD6N52K3 Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 437,8 KB)
PDFSTP6N52K3 Datenblatt Cover
STP6N52K3 Datenblatt Seite 2 STP6N52K3 Datenblatt Seite 3 STP6N52K3 Datenblatt Seite 4 STP6N52K3 Datenblatt Seite 5 STP6N52K3 Datenblatt Seite 6 STP6N52K3 Datenblatt Seite 7 STP6N52K3 Datenblatt Seite 8 STP6N52K3 Datenblatt Seite 9 STP6N52K3 Datenblatt Seite 10 STP6N52K3 Datenblatt Seite 11

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STD6N52K3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSuperMESH3™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)525V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)70W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRLR3105TRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

57W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SQ4483EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF644

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HVSON (6x5)

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

IPW60R165CPFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 790µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

FDS6570A

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

FDV305N

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

LT1963AEST-1.8#PBF

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IC REG LINEAR 1.8V 1.5A SOT223-3

XC6SLX9-2TQG144C

XC6SLX9-2TQG144C

Xilinx

IC FPGA 102 I/O 144TQFP

OP2177ARMZ-R7

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Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

PM5022-101M-RC

PM5022-101M-RC

Bourns

FIXED IND 100UH 1.7A 190 MOHM

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP

2N3390

2N3390

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

LTC1773EMS#TRPBF

LTC1773EMS#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

3224W-1-202E

3224W-1-202E

Bourns

TRIMMER 2K OHM 0.25W J LEAD TOP

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

CKP25202R2M-T

CKP25202R2M-T

Taiyo Yuden

FIXED IND 2.2UH 400MA 90 MOHM