Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STD150NH02L-1

STD150NH02L-1

Nur als Referenz

Teilenummer STD150NH02L-1
PNEDA Teilenummer STD150NH02L-1
Beschreibung MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.138
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD150NH02L-1 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD150NH02L-1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD150NH02L-1, STD150NH02L-1 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 486,65 KB)
PDFSTD150NH02L-1 Datenblatt Cover
STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 2 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 3 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 4 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 5 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 6 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 7 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 8 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 9 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 10 STD150NH02L-1 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STD150NH02L-1 Datasheet
  • where to find STD150NH02L-1
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STD150NH02L-1
  • STD150NH02L-1 PDF Datasheet
  • STD150NH02L-1 Stock

  • STD150NH02L-1 Pinout
  • Datasheet STD150NH02L-1
  • STD150NH02L-1 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STD150NH02L-1 Price
  • STD150NH02L-1 Distributor

STD150NH02L-1 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4450pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)125W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMG2305UXQ-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

808pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRFP150NPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Paket / Fall

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Paket / Fall

i4-Pac™-5

AUIRF3315STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TPW1R306PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.29mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8100pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960mW (Ta), 170W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DSOP Advance

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Kürzlich verkauft

ACPL-247-500E

ACPL-247-500E

Broadcom

OPTOISO 3KV 4CH TRANS 16SOIC

MOCD217M

MOCD217M

ON Semiconductor

OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

LTST-C191KRKT

LTST-C191KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

MAX5056BASA+

MAX5056BASA+

Maxim Integrated

IC MOSFET DRVR DUAL 8-SOIC

LIS35DE

LIS35DE

STMicroelectronics

ACCEL 2.3-9.2G I2C/SPI 14LGA

MAX31865ATP+

MAX31865ATP+

Maxim Integrated

IC RTD TO DIGITAL CONVERT 20QFN

VRF150

VRF150

Microsemi

RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174

IRFP150N

IRFP150N

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA