Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STD10LN80K5

STD10LN80K5

Nur als Referenz

Teilenummer STD10LN80K5
PNEDA Teilenummer STD10LN80K5
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.478
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD10LN80K5 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD10LN80K5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD10LN80K5, STD10LN80K5 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 837,77 KB)
PDFSTD10LN80K5 Datenblatt Cover
STD10LN80K5 Datenblatt Seite 2 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 3 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 4 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 5 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 6 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 7 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 8 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 9 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 10 STD10LN80K5 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STD10LN80K5 Datasheet
  • where to find STD10LN80K5
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STD10LN80K5
  • STD10LN80K5 PDF Datasheet
  • STD10LN80K5 Stock

  • STD10LN80K5 Pinout
  • Datasheet STD10LN80K5
  • STD10LN80K5 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STD10LN80K5 Price
  • STD10LN80K5 Distributor

STD10LN80K5 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ K5
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs630mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds427pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)110W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQA48N20

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

280W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

SIR606BDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SIHH27N60EF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2609pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

202W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 8 x 8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

AON2400

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 8A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1645pF @ 4V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-DFN-EP (2x2)

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

660mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4890pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

AT25320B-SSHL-T

AT25320B-SSHL-T

Microchip Technology

IC EEPROM 32K SPI 20MHZ 8SOIC

SMD050-2

SMD050-2

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2SMD

MAX6710JUT+T

MAX6710JUT+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU SOT23-6

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

KSR223GLFG

KSR223GLFG

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V

2N3771

2N3771

STMicroelectronics

TRANS NPN 40V 30A TO-3

IS25CQ032-JBLE

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

FDS6680A

FDS6680A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

LT3012EFE#PBF

LT3012EFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 250MA 16TSSOP

AFT27S010NT1

AFT27S010NT1

NXP

FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

7447709680

7447709680

Wurth Electronics

FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD