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STBR3012WY

STBR3012WY

Nur als Referenz

Teilenummer STBR3012WY
PNEDA Teilenummer STBR3012WY
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STBR3012WY Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTBR3012WY
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
STBR3012WY, STBR3012WY Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 380,88 KB)
PDFSTBR3012G2Y-TR Datenblatt Cover
STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 2 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 3 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 4 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 5 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 6 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 7 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 8 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 9 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 10 STBR3012G2Y-TR Datenblatt Seite 11

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STBR3012WY Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 30A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-247-2 (Straight Leads)
LieferantengerätepaketDO-247
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 175°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

18A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

575pF @ 1V, 100kHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N6543

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

NRVB540MFST1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

S1KBTR

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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