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ST8812FX

ST8812FX

Nur als Referenz

Teilenummer ST8812FX
PNEDA Teilenummer ST8812FX
Beschreibung TRANS NPN 600V 7A ISOWATT218FX
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 23.136
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ST8812FX Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerST8812FX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ST8812FX, ST8812FX Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 143,17 KB)
PDFST8812FX Datenblatt Cover
ST8812FX Datenblatt Seite 2 ST8812FX Datenblatt Seite 3 ST8812FX Datenblatt Seite 4 ST8812FX Datenblatt Seite 5 ST8812FX Datenblatt Seite 6 ST8812FX Datenblatt Seite 7 ST8812FX Datenblatt Seite 8 ST8812FX Datenblatt Seite 9 ST8812FX Datenblatt Seite 10

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ST8812FX Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)7A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic3V @ 800mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce4.5 @ 5A, 5V
Leistung - max50W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOWATT218FX
LieferantengerätepaketISOWATT-218FX

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JAN2N3637

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/357

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

175V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

MJD44E3T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

NST856BF3T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

290mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1123

Lieferantengerätepaket

SOT-1123

PBSS4440D,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 2A, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

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JANTXV2N5581

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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