Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SSU1N60BTU-WS

SSU1N60BTU-WS

Nur als Referenz

Teilenummer SSU1N60BTU-WS
PNEDA Teilenummer SSU1N60BTU-WS
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.804
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSU1N60BTU-WS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSU1N60BTU-WS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SSU1N60BTU-WS, SSU1N60BTU-WS Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 705,8 KB)
PDFSSR1N60BTM_F080 Datenblatt Cover
SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 2 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 3 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 4 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 5 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 6 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 7 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 8 SSR1N60BTM_F080 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SSU1N60BTU-WS Datasheet
  • where to find SSU1N60BTU-WS
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor SSU1N60BTU-WS
  • SSU1N60BTU-WS PDF Datasheet
  • SSU1N60BTU-WS Stock

  • SSU1N60BTU-WS Pinout
  • Datasheet SSU1N60BTU-WS
  • SSU1N60BTU-WS Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • SSU1N60BTU-WS Price
  • SSU1N60BTU-WS Distributor

SSU1N60BTU-WS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.900mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SUD50N04-05L-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 410µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1544pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

95W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IXFH67N10

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

IRF6665TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DIRECTFET™ SH

Paket / Fall

DirectFET™ Isometric SH

Hersteller

IXYS

Serie

GigaMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

230A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

378nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1670W (Tc)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Kürzlich verkauft

CY2309SXI-1H

CY2309SXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 9OUT 133MHZ 16SOIC

NDT452AP

NDT452AP

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4

ADM2484EBRWZ

ADM2484EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 5KV RS422/RS485 16SOIC

ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

NCP4586DMU50TCG

NCP4586DMU50TCG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 5V 150MA 4UDFN

SS14-E3/61T

SS14-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

FLZ6V8A

FLZ6V8A

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

MMPF0100F0AEP

MMPF0100F0AEP

NXP

IC REG CONV I.MX6 12OUT 56HVQFN

PC28F00AP30EFA

PC28F00AP30EFA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64EASYBGA

74LVC02AD,118

74LVC02AD,118

Nexperia

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO

PM-L54P

PM-L54P

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR OPT SLOT PNP MODULE