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SST39WF800B-70-4I-B3KE

SST39WF800B-70-4I-B3KE

Nur als Referenz

Teilenummer SST39WF800B-70-4I-B3KE
PNEDA Teilenummer SST39WF800B-70-4I-B3KE
Beschreibung IC FLASH 8M PARALLEL 48TFBGA
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 6.264
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SST39WF800B-70-4I-B3KE Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST39WF800B-70-4I-B3KE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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SST39WF800B-70-4I-B3KE Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
SerieSST39 MPF™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite40µs
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-TFBGA

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

AKM Semiconductor Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

4MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

125MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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CY7C1041BN-20ZSXAT

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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