SST39VF020-70-4I-B3KE
Nur als Referenz
| Teilenummer | SST39VF020-70-4I-B3KE |
| PNEDA Teilenummer | SST39VF020-70-4I-B3KE |
| Beschreibung | IC FLASH 2M PARALLEL 48TFBGA |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.312 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SST39VF020-70-4I-B3KE Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SST39VF020-70-4I-B3KE |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
SST39VF020-70-4I-B3KE, SST39VF020-70-4I-B3KE Datenblatt
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SST39VF020-70-4I-B3KE Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | SST39 MPF™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH |
| Speichergröße | 2Mb (256K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 20µs |
| Zugriffszeit | 70ns |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-TFBGA |
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Hersteller Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20µs Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket 32-TSOP |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 17ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ns Zugriffszeit 4.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
