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SST26WF080BT-104I/NP

SST26WF080BT-104I/NP

Nur als Referenz

Teilenummer SST26WF080BT-104I/NP
PNEDA Teilenummer SST26WF080BT-104I-NP
Beschreibung IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON
Hersteller Microchip Technology
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Auf Lager 82.332
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SST26WF080BT-104I/NP Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST26WF080BT-104I/NP
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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SST26WF080BT-104I/NP Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
SerieSST26 SQI®
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite1.5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-USON (2x3)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

-

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

24-SOIC

AS4C32M32MD2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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