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SST25VF016B-75-4I-QAF-T

SST25VF016B-75-4I-QAF-T

Nur als Referenz

Teilenummer SST25VF016B-75-4I-QAF-T
PNEDA Teilenummer SST25VF016B-75-4I-QAF-T
Beschreibung IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON
Hersteller Microchip Technology
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SST25VF016B-75-4I-QAF-T Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST25VF016B-75-4I-QAF-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
SST25VF016B-75-4I-QAF-T, SST25VF016B-75-4I-QAF-T Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 308,98 KB)
PDFSST25VF016B-75-4I-S2AF-T Datenblatt Cover
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SST25VF016B-75-4I-QAF-T Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
SerieSST25
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße16Mb (2M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz80MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10µs
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-WSON (5x6)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

CY7C1460AV25-250BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

MT29F128G08CBCABH6-6:A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

128Gb (16G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

152-VBGA

Lieferantengerätepaket

152-VBGA (14x18)

CYDD18S36V18-167BBXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

18Mb (256K x 36 x 2)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

600ps

Spannung - Versorgung

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-FBGA (17x17)

CY7C1382D-167AXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x20)

Kürzlich verkauft

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

Xilinx

IC FPGA 300 I/O 676FBGA

MPU-6000

MPU-6000

TDK InvenSense

IMU ACCEL/GYRO I2C/SPI 24QFN

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Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

ESD9X5.0ST5G

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ON Semiconductor

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MC7815ACTG

MC7815ACTG

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Analog Devices

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CMC 100MA 2LN 90 OHM SMD

W25Q80DVSVIG

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Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

MPZ2012S300AT000

MPZ2012S300AT000

TDK

FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN