SSM6N16FUTE85LF
Nur als Referenz
Teilenummer | SSM6N16FUTE85LF |
PNEDA Teilenummer | SSM6N16FUTE85LF |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6 |
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 22.386 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SSM6N16FUTE85LF Ressourcen
Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SSM6N16FUTE85LF |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SSM6N16FUTE85LF Datasheet
- where to find SSM6N16FUTE85LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF
- SSM6N16FUTE85LF PDF Datasheet
- SSM6N16FUTE85LF Stock
- SSM6N16FUTE85LF Pinout
- Datasheet SSM6N16FUTE85LF
- SSM6N16FUTE85LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM6N16FUTE85LF Price
- SSM6N16FUTE85LF Distributor
SSM6N16FUTE85LF Technische Daten
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
Leistung - max | 200mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | US6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 40mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7950pF @ 800V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Panasonic Electronic Components Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 5V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket Mini5-G1 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V Leistung - max 1.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6 FLMP |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta), 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.56nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V Leistung - max 1.17W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |