SSM6K781G,LF
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| Teilenummer | SSM6K781G,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6K781G-LF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.620 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6K781G Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6K781G,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM6K781G Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WCSPC (1.5x1.0) |
| Paket / Fall | 6-UFBGA, WLCSP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
