SSM6K513NU,LF
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| Teilenummer | SSM6K513NU,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM6K513NU-LF |
| Beschreibung | MOSFET NCH 30V 15A UDFNB |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.874 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM6K513NU Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM6K513NU,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SSM6K513NU Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSIX-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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