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SSM6K504NU,LF

SSM6K504NU,LF

Nur als Referenz

Teilenummer SSM6K504NU,LF
PNEDA Teilenummer SSM6K504NU-LF
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 2.034
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SSM6K504NU Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM6K504NU,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SSM6K504NU Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
SerieU-MOSVII
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds620pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.25W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-UDFNB (2x2)
Paket / Fall6-WDFN Exposed Pad

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, TrenchT2™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

86A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

860W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FQD2N100TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB136N08N3 G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.6mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 33µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

79W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RUE002N05TL

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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-

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Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

235mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

370W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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