SSM3K361R,LF
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| Teilenummer | SSM3K361R,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM3K361R-LF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 165.462 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM3K361R Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3K361R,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3K361R Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23F |
| Paket / Fall | SOT-23-3 Flat Leads |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-MSOP Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19.7A (Ta), 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (Max) +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SH |
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