SSM3J35MFV,L3F
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| Teilenummer | SSM3J35MFV,L3F |
| PNEDA Teilenummer | SSM3J35MFV-L3F |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM3J35MFV Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3J35MFV,L3F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3J35MFV Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VESM |
| Paket / Fall | SOT-723 |
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