SSM3J352F,LF
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| Teilenummer | SSM3J352F,LF |
| PNEDA Teilenummer | SSM3J352F-LF |
| Beschreibung | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 29.214 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSM3J352F Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSM3J352F,LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SSM3J352F Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVI |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ F7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
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