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SSM2212RZ

SSM2212RZ

Nur als Referenz

Teilenummer SSM2212RZ
PNEDA Teilenummer SSM2212RZ
Beschreibung TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
Hersteller Analog Devices
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Auf Lager 11.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SSM2212RZ Ressourcen

Marke Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSM2212RZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
SSM2212RZ, SSM2212RZ Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 355,63 KB)
PDFSSM2212CPZ-R7 Datenblatt Cover
SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 2 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 3 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 4 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 5 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 6 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 7 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 8 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 9 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 10 SSM2212CPZ-R7 Datenblatt Seite 11

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SSM2212RZ Technische Daten

HerstellerAnalog Devices Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual) Matched Pair
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic200mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500pA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 10V

Leistung - max

125mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F2

ULQ2004D1013TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

HN4A51JTE85LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

ULN2003APWR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

16-PDIP

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