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SSD2025TF

SSD2025TF

Nur als Referenz

Teilenummer SSD2025TF
PNEDA Teilenummer SSD2025TF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.788
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SSD2025TF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSSD2025TF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SSD2025TF, SSD2025TF Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 183,65 KB)
PDFSSD2025TF Datenblatt Cover
SSD2025TF Datenblatt Seite 2 SSD2025TF Datenblatt Seite 3 SSD2025TF Datenblatt Seite 4 SSD2025TF Datenblatt Seite 5

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SSD2025TF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 15V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMG6602SVTX-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta), 2.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V, 9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V, 420pF @ 15V

Leistung - max

840mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

SSM6N35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

UPA2324T1P-E1-A

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

UM5K1NTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 5V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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