SSB43L-E3/52T
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| Teilenummer | SSB43L-E3/52T |
| PNEDA Teilenummer | SSB43L-E3-52T |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.593.366 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SSB43L-E3/52T Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SSB43L-E3/52T |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SSB43L-E3/52T Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 600µA @ 30V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 120ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 55pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 6A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 6A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 243pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 135°C |
