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SS8P3LHM3_A/I

SS8P3LHM3_A/I

Nur als Referenz

Teilenummer SS8P3LHM3_A/I
PNEDA Teilenummer SS8P3LHM3_A-I
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SS8P3LHM3_A/I Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS8P3LHM3_A/I
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SS8P3LHM3_A/I, SS8P3LHM3_A/I Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 94,36 KB)
PDFSS8P4CHM3_A/H Datenblatt Cover
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SS8P3LHM3_A/I Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If570mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.330pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-277, 3-PowerDFN
LieferantengerätepaketTO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

180A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 180A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

7700pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

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Paket / Fall

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

18ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SFAF1604G C0G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

130pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

V8P8HM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

660mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

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-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Comchip Technology

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Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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