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SS8P3LHM3_A/H

SS8P3LHM3_A/H

Nur als Referenz

Teilenummer SS8P3LHM3_A/H
PNEDA Teilenummer SS8P3LHM3_A-H
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 8A TO277A
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.592
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 21 - Nov 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SS8P3LHM3_A/H Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS8P3LHM3_A/H
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SS8P3LHM3_A/H, SS8P3LHM3_A/H Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 94,36 KB)
PDFSS8P4CHM3_A/H Datenblatt Cover
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SS8P3LHM3_A/H Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If570mV @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.330pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-277, 3-PowerDFN
LieferantengerätepaketTO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220Ins

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SD101BWS-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

2.1pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

V10PM10-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®, TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

120µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

SF15GHA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

T-18, Axial

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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