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SS3P4HM3J/84A

SS3P4HM3J/84A

Nur als Referenz

Teilenummer SS3P4HM3J/84A
PNEDA Teilenummer SS3P4HM3J-84A
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-220AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.958
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SS3P4HM3J/84A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS3P4HM3J/84A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SS3P4HM3J/84A, SS3P4HM3J/84A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 99,02 KB)
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SS3P4HM3J/84A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If600mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr150µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.130pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-220AA
LieferantengerätepaketDO-220AA (SMP)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 400A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-60°C ~ 200°C

BYV25D-600,118

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

MSG104

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

690mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S1JFS MWG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SOD-128

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

SMC Diode Solutions

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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