SS2H9HE3_A/I
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| Teilenummer | SS2H9HE3_A/I |
| PNEDA Teilenummer | SS2H9HE3_A-I |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.500 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SS2H9HE3_A/I Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SS2H9HE3_A/I |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SS2H9HE3_A/I Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 90V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 800nA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket SOD-123F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 40A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 2520A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 75mA @ 2200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AC, K-PUK Lieferantengerätepaket BG-D7526K0-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
