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SS2H9-E3/5BT

SS2H9-E3/5BT

Nur als Referenz

Teilenummer SS2H9-E3/5BT
PNEDA Teilenummer SS2H9-E3-5BT
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO214AA
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.660
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SS2H9-E3/5BT Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS2H9-E3/5BT
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SS2H9-E3/5BT, SS2H9-E3/5BT Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 77,96 KB)
PDFSS2H9HE3_A/I Datenblatt Cover
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SS2H9-E3/5BT Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)90V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If790mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 90V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-214AA, SMB
LieferantengerätepaketDO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

180V

Current - Average Rectified (Io)

23A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 180V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

LSM315JE3/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

320mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 15V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

UFS360GE3/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-215AB, SMC Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DO-215AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

FR306-T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

B360-13-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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