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SS150TI60110

SS150TI60110

Nur als Referenz

Teilenummer SS150TI60110
PNEDA Teilenummer SS150TI60110
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V DE150
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 6.498
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SS150TI60110 Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS150TI60110
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
SS150TI60110, SS150TI60110 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 546,38 KB)
PDFSS150TI60110 Datenblatt Cover
SS150TI60110 Datenblatt Seite 2 SS150TI60110 Datenblatt Seite 3

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SS150TI60110 Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
Serie-
Diodenkonfiguration3 Independent
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8V @ 5A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
LieferantengerätepaketDE150

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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D2PAK

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

35A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 35A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

B48 Module

Lieferantengerätepaket

Module

FEP6BT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

13ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 300V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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