SS10P4C-M3/86A
Nur als Referenz
| Teilenummer | SS10P4C-M3/86A | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SS10P4C-M3-86A | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.074 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 6 - Dez 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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SS10P4C-M3/86A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SS10P4C-M3/86A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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SS10P4C-M3/86A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | eSMP® |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 550µA @ 40V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 350A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.28V @ 1000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30mA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
