SRS2030 MNG
Nur als Referenz
| Teilenummer | SRS2030 MNG |
| PNEDA Teilenummer | SRS2030-MNG |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 30V 20A TO263AB |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SRS2030 MNG Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SRS2030 MNG |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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SRS2030 MNG Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 20A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 30V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Series Connection Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 200A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 300A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 9mA @ 800V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D2 Lieferantengerätepaket SD2 |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 400A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 720mV @ 400A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 40V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 70ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 530mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 30V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall PRM3 Lieferantengerätepaket PRM3 |
