SRAF840HC0G
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Teilenummer | SRAF840HC0G |
PNEDA Teilenummer | SRAF840HC0G |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 8A ITO220AC |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.820 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SRAF840HC0G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SRAF840HC0G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SRAF840HC0G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 40V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-2 Full Pack |
Lieferantengerätepaket | ITO-220AC |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 125°C |
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GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 8A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 2.5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 237pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-257-3 Lieferantengerätepaket TO-257 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 250°C |
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