SQUN702E-T1_GE3
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| Teilenummer | SQUN702E-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQUN702E-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQUN702E-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQUN702E-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQUN702E-T1_GE3, SQUN702E-T1_GE3 Datenblatt
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SQUN702E-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel, Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V, 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc), 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V |
| Leistung - max | 48W (Tc), 60W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount, Wettable Flank |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 630mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V Leistung - max 820mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket TSOT-26 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 15V Leistung - max 2.3W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.2A, 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1143pF @ 25V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.1pF @ 3V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 (1.6x1.6) |
