Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQM40020EL_GE3

SQM40020EL_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQM40020EL_GE3
PNEDA Teilenummer SQM40020EL_GE3
Beschreibung AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.744
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQM40020EL_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQM40020EL_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SQM40020EL_GE3, SQM40020EL_GE3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 314,3 KB)
PDFSQM40020EL_GE3 Datenblatt Cover
SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 2 SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 3 SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 4 SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 5 SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 6 SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 7 SQM40020EL_GE3 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQM40020EL_GE3 Datasheet
  • where to find SQM40020EL_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQM40020EL_GE3
  • SQM40020EL_GE3 PDF Datasheet
  • SQM40020EL_GE3 Stock

  • SQM40020EL_GE3 Pinout
  • Datasheet SQM40020EL_GE3
  • SQM40020EL_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQM40020EL_GE3 Price
  • SQM40020EL_GE3 Distributor

SQM40020EL_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8800pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-263 (D²Pak)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIDR140DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

79A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.67mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8150pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8DC

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SI4404DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPP040N06NAKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 107W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IPA65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1.25mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FCPF250N65S3L1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

AQW210SZ

AQW210SZ

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-350V

ADA4096-2ARMZ

ADA4096-2ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

ATTINY841-SSU

ATTINY841-SSU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 14SOIC

AS1360-33-T

AS1360-33-T

ams

IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-3

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

MC33990D

MC33990D

NXP

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

MX25L12835FM2I-10G

MX25L12835FM2I-10G

Macronix

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOP

EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

EPC

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

MC74HC00AD

MC74HC00AD

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

M29W320EB70ZE6E

M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

W25Q16JVSNIQ

W25Q16JVSNIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC