SQM120N06-3M5L_GE3
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Teilenummer | SQM120N06-3M5L_GE3 |
PNEDA Teilenummer | SQM120N06-3M5L_GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
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SQM120N06-3M5L_GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SQM120N06-3M5L_GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SQM120N06-3M5L_GE3, SQM120N06-3M5L_GE3 Datenblatt
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SQM120N06-3M5L_GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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