SQJ992EP-T1_GE3
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| Teilenummer | SQJ992EP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ992EP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.924 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQJ992EP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQJ992EP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQJ992EP-T1_GE3, SQJ992EP-T1_GE3 Datenblatt
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SQJ992EP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56.2mOhm @ 3.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 446pF @ 30V |
| Leistung - max | 34W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.1A, 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V Leistung - max 3W, 5.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.1A, 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 15V Leistung - max 1.9W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V Leistung - max 1.9W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-WISON-8 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12mA, 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (Max) @ Id 820mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
