SQJ481EP-T1_GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SQJ481EP-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQJ481EP-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CHAN 80V POWERPAK SO-8L |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 28 - Apr 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SQJ481EP-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SQJ481EP-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SQJ481EP-T1_GE3, SQJ481EP-T1_GE3 Datenblatt
(Total Pages: 9, Größe: 249,12 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SQJ481EP-T1_GE3 Datasheet
- where to find SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3
- SQJ481EP-T1_GE3 PDF Datasheet
- SQJ481EP-T1_GE3 Stock
- SQJ481EP-T1_GE3 Pinout
- Datasheet SQJ481EP-T1_GE3
- SQJ481EP-T1_GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SQJ481EP-T1_GE3 Price
- SQJ481EP-T1_GE3 Distributor
SQJ481EP-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 45W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 4500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 750Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 256pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 113W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 40W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220FM Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 94W (Tj) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
