SQD40N06-25L-GE3
Nur als Referenz
Teilenummer | SQD40N06-25L-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SQD40N06-25L-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 30A TO252 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 2.142 |
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SQD40N06-25L-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SQD40N06-25L-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SQD40N06-25L-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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