SQ7002K-T1-GE3
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| Teilenummer | SQ7002K-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQ7002K-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SQ7002K-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQ7002K-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SQ7002K-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 320mA (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 83A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 83A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 160µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 214W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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