SQ1902AEL-T1_GE3
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| Teilenummer | SQ1902AEL-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQ1902AEL-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.554 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQ1902AEL-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQ1902AEL-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQ1902AEL-T1_GE3, SQ1902AEL-T1_GE3 Datenblatt
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SQ1902AEL-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 780mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 660mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
| Leistung - max | 430mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Hersteller Serie - FET-Typ - FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 98pF @ 14V Leistung - max 2.86W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 24-SOIC |
Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ II FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 2.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 20V Leistung - max 75W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6) |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 500mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 30V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
