SQ1563AEH-T1_GE3
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| Teilenummer | SQ1563AEH-T1_GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SQ1563AEH-T1_GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SQ1563AEH-T1_GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SQ1563AEH-T1_GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SQ1563AEH-T1_GE3, SQ1563AEH-T1_GE3 Datenblatt
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SQ1563AEH-T1_GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 850mA (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 89pF @ 10V, 84pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 10V Leistung - max 2.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 18-WFBGA Lieferantengerätepaket 18-BGA (2.5x4) |
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