Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQ1440EH-T1_GE3

SQ1440EH-T1_GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SQ1440EH-T1_GE3
PNEDA Teilenummer SQ1440EH-T1_GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.730
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SQ1440EH-T1_GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSQ1440EH-T1_GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SQ1440EH-T1_GE3, SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 190,67 KB)
PDFSQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Cover
SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 2 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 3 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 4 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 5 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 6 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 7 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 8 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 9 SQ1440EH-T1_GE3 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SQ1440EH-T1_GE3 Datasheet
  • where to find SQ1440EH-T1_GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SQ1440EH-T1_GE3
  • SQ1440EH-T1_GE3 PDF Datasheet
  • SQ1440EH-T1_GE3 Stock

  • SQ1440EH-T1_GE3 Pinout
  • Datasheet SQ1440EH-T1_GE3
  • SQ1440EH-T1_GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SQ1440EH-T1_GE3 Price
  • SQ1440EH-T1_GE3 Distributor

SQ1440EH-T1_GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds344pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSC-70-6
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI7336ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

AOD3N50M

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

RUM001L02T2CL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7.1pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

VMT3

Paket / Fall

SOT-723

SIRA80DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.62mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9530pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

BUK9Y25-80E,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2703pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

95W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

GCM1885C1H6R8BA16D

GCM1885C1H6R8BA16D

Murata

CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603

WSL20103L000FEA

WSL20103L000FEA

Vishay Dale

RES 0.003 OHM 1% 1/2W 2010

R5F2L3AACNFP#V0

R5F2L3AACNFP#V0

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 96KB FLASH 100QFP

CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

Bourns

TVS DIODE 24V 40V SOT23

NC7WZ17P6

NC7WZ17P6

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

BC239C

BC239C

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

STPS40170CGY-TR

STPS40170CGY-TR

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK

MC68060RC50

MC68060RC50

NXP

IC MPU M680X0 50MHZ 206PGA

ADM3202ARNZ-REEL

ADM3202ARNZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

BC184B

BC184B

Central Semiconductor Corp

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT