SPW55N80C3FKSA1
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| Teilenummer | SPW55N80C3FKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | SPW55N80C3FKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 54.9A TO-247 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SPW55N80C3FKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SPW55N80C3FKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SPW55N80C3FKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ C3 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 54.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 32.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 288nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7520pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie aMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.8nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1038pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 37.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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