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SPV1001T40

SPV1001T40

Nur als Referenz

Teilenummer SPV1001T40
PNEDA Teilenummer SPV1001T40
Beschreibung DIODE GEN PURP 40V 16A TO220AB
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SPV1001T40 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSPV1001T40
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SPV1001T40, SPV1001T40 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 299,94 KB)
PDFSPV1001D40TR Datenblatt Cover
SPV1001D40TR Datenblatt Seite 2 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 3 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 4 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 5 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 6 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 7 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 8 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 9 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 10 SPV1001D40TR Datenblatt Seite 11

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SPV1001T40 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)16A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If920mV @ 8A
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-45°C ~ 175°C

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CDBF0520L

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

385mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

170pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

1005 (2512 Metric)

Lieferantengerätepaket

1005/SOD-323F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

S5BC-13-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

1N914B-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

ES1FL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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