SPD30N03S2L10GBTMA1
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| Teilenummer | SPD30N03S2L10GBTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | SPD30N03S2L10GBTMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SPD30N03S2L10GBTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SPD30N03S2L10GBTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SPD30N03S2L10GBTMA1, SPD30N03S2L10GBTMA1 Datenblatt
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SPD30N03S2L10GBTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3980pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 165W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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