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SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Nur als Referenz

Teilenummer SP8M3FU6TB
PNEDA Teilenummer SP8M3FU6TB
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 8.532
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SP8M3FU6TB Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSP8M3FU6TB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SP8M3FU6TB, SP8M3FU6TB Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 107,94 KB)
PDFSP8M3FU6TB Datenblatt Cover
SP8M3FU6TB Datenblatt Seite 2 SP8M3FU6TB Datenblatt Seite 3 SP8M3FU6TB Datenblatt Seite 4 SP8M3FU6TB Datenblatt Seite 5 SP8M3FU6TB Datenblatt Seite 6

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SP8M3FU6TB Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 10V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Leistung - max

920mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

U-DFN3030-8

SI1033X-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

145mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 19µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Leistung - max

51W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-10

EPC2105

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 40V, 1100pF @ 40V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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