SP8K22FU6TB
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| Teilenummer | SP8K22FU6TB |
| PNEDA Teilenummer | SP8K22FU6TB |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.136 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SP8K22FU6TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SP8K22FU6TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SP8K22FU6TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC, 38nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF, 2300pF @ 30V Leistung - max 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-HSOP |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaMOS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 15V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-DFN-EP (2x2) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1066.4pF @ 15V Leistung - max 980mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket W-DFN5020-6 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
