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SN75469N

SN75469N

Nur als Referenz

Teilenummer SN75469N
PNEDA Teilenummer SN75469N
Beschreibung TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP
Hersteller Texas Instruments
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Auf Lager 14.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SN75469N Ressourcen

Marke Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSN75469N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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SN75469N Technische Daten

Hersteller
Serie-
Transistortyp7 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)100V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall16-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket16-PDIP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN, PNP Complementary

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

NSS60101DMTTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

180mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

Leistung - max

2.27W

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-WDFN (2x2)

ULN2804A

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

2.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-DIP

LBN150B01-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

XN0653700L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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SOT-23-6

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