SMMUN2216LT3G
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| Teilenummer | SMMUN2216LT3G |
| PNEDA Teilenummer | SMMUN2216LT3G |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.346 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 17 - Feb 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SMMUN2216LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SMMUN2216LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
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SMMUN2216LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 246mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
