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SJPL-H2V

SJPL-H2V

Nur als Referenz

Teilenummer SJPL-H2V
PNEDA Teilenummer SJPL-H2V
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
Hersteller Sanken
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Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SJPL-H2V Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSJPL-H2V
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SJPL-H2V, SJPL-H2V Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 253,55 KB)
PDFSJPL-H2 Datenblatt Cover
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SJPL-H2V Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If980mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SMD, J-Lead
LieferantengerätepaketSJP
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

80µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

PMDTM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CDSV3-19-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBRH20080R

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-67

Lieferantengerätepaket

D-67

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

MBRF1090-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 90V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

JANTX1N5619

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/429

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

A, Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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