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SJPB-H4VR

SJPB-H4VR

Nur als Referenz

Teilenummer SJPB-H4VR
PNEDA Teilenummer SJPB-H4VR
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 2A SJP
Hersteller Sanken
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Auf Lager 55.698
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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SJPB-H4VR Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSJPB-H4VR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SJPB-H4VR, SJPB-H4VR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 249,08 KB)
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SJPB-H4VR Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If550mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr200µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SMD, J-Lead
LieferantengerätepaketSJP
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

182A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 60A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

3809pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

ESH2CHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

930mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JANTXV1N4153UR-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/337

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 20mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

UD1006FR-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

VS-20TQ040STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.7mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

1400pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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