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SJPB-D9

SJPB-D9

Nur als Referenz

Teilenummer SJPB-D9
PNEDA Teilenummer SJPB-D9
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 90V 1A SJP
Hersteller Sanken
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Auf Lager 5.040
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SJPB-D9 Ressourcen

Marke Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSJPB-D9
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
SJPB-D9, SJPB-D9 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 250,13 KB)
PDFSJPB-D9 Datenblatt Cover
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SJPB-D9 Technische Daten

HerstellerSanken
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)90V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If850mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 90V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SMD, J-Lead
LieferantengerätepaketSJP
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

300mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 50mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

8ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25nA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

SOD-80 MiniMELF

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SD253R04S15PV

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.38V @ 785A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

35mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

6A4TA

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

150pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

R6, Axial

Lieferantengerätepaket

R-6

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

UGB8CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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