SIZ700DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ700DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ700DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.040 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIZ700DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ700DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ700DT-T1-GE3, SIZ700DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ700DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.36W, 2.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-PowerPair™ |
| Lieferantengerätepaket | 6-PowerPair™ |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 19A, 26A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V Leistung - max 3.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (5x6) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Tc), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V Leistung - max 40W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.8nC @ 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 15V Leistung - max 1.24W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
